東芝公司為逆變器和儲能系統開發了2200 V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），以幫助逆變器制造商減小其產品的尺寸及重量。
日本電子制造商東芝公司推出了一種基于碳化硅（SiC）的新型金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），主要應用于太陽能逆變器和電池存儲系統。
該公司表示，新的MOSFET可能有助于逆變器制造商減小其產品的尺寸及重量。
該公司還提到：“高頻運行可以減少其他系統組件的體積和重量，如散熱器和過濾器等?！?/p>
新產品包含一個2200 V肖特基勢壘二極管（SBD），主要應用于1500 V（直流電）兩電平逆變器。據制造商介紹，兩電平設備相比三電平逆變器，具有更少的開關模塊，因此系統體積更小、質量更輕。
據報道，SiC模塊具有低傳導損耗和低漏源電壓的特點。它們導通和關斷的開關損耗也較低，分別為14mJ和11mJ。據稱，它們具備低漏感、低熱阻特性并內置了熱敏電阻。
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